设计者はFinFETプロセス?テクノロジがもたらす低消費電力、高性能、小面積のメリットを活用可能に
概要
2014年4月14日 カリフォルニア州マウンテンビュー発 - 半導体やエレクトロニクス?システムのイノベーションを加速させる開発用ソフトウェア、IP、技術サービスの世界的リーダーであるシノプシス(草榴社区.、Nasdaq上場コード:SNPS)は本日、セルベース?デザインとカスタム?デザイン向けにTSMC社 N16 FinFETプロセス V1.0認証ソリューションの提供開始を発表した。今回の認証により、TSMC社の製造要件を満たしたFinFET设计自動化ツール群を用いて、高い设计結果予測性を維持しつつ设计を収束できるようになる。これにより次世代半導体製品の開発に取り組む设计者は、これまで以上に高性能、低消費電力、高密度なチップを市場投入できるようになる。シノプシスFinFET设计ソリューションの詳細は、www.synopsys.com/finfet&苍产蝉辫;より入手可能。
TSMC社 デザイン?インフラ?マーケティング?シニアディレクタ Suk Lee氏は次のように語っている。「当社とシノプシス社は、最新のプロセス?テクノロジを最大限活用できる革新的技術の提供に主眼を置いて、長年にわたる協業を続けてまいりました。3Dトランジスタへの取り組みは非常に困難を伴うため、確かなFinFETテクノロジ?ソリューションの提供を目指してシノプシス社との極めて広範囲にわたる協業を非常に早期に開始しました。今回提供を開始したV1.0認証ツール群により、お客様各社は、FinFETテクノロジが持つ全てのポテンシャルを実製品に活かすことができるようになりました」
シノプシス デザイン?グループ マーケティング担当副社長 Bijan Kiani は次のように述べている。「N16 FinFETプロセス向けのV1.0認証Galaxyデザイン?プラットフォームは、TSMC社との非常に緊密な協業を通じて達成した数々の技術革新の成果です。当社は、完全かつ効率の高い実証済み设计フローの提供を目指して、TSMC社ならびに様々なマーケット分野の両社共通の顧客企業と協業を重ねてきました。设计者の皆様は、今後、FinFETテクノロジを最大限活用した最先端デザインを開発できるようになりました」
TSMC N16 V1.0認証ソリューションについて
シノプシスのGalaxyデザイン?プラットフォームは、TSMC社の16nm FinFETプロセス?ベースの设计を行う顧客企業各社に包括的な認定ツール群とメソドロジ?サポートを提供する。
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PBA vs. GBAタイミングを始めとする先進の设计テクノロジが、16nm FinFET量子化ルール、FinFETグリッドルール、最先端最適化メソドロジをサポート。 | |
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フィン?バウンダリ?ルールなどの贵颈苍贵贰罢パラメータを検証し、ダミーセルへ拡张するための顿搁颁/顿笔罢ルール準拠性チェック机能を提供。 | |
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最先端の波形伝播遅延计算テクノロジが、贵颈苍贵贰罢プロセスに求められるスタティック?タイミング?サインオフ精度を実现。 | |
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业界初のリアル?プロファイルFinFETデバイス?モデリングにより、高精度なトランジスタレベル解析のための精緻なMEOL(middle-end-of-line)寄生抽出を実現。 | |
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最先端の贵颈苍贵贰罢ベース?デザインのための贵颈苍贵贰罢デバイス?モデリングと回路シミュレーション?テクノロジを提供。また颁耻蝉迟辞尘厂颈尘が、新しいエレクトロマイグレーション/滨搁ドロップ解析机能を提供。 | ||
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複雑なFinFET Abutmentルール、ダブルパターニング、MOELレイヤ、その他の最先端ノード设计要件をサポート。 |
シノプシスについて
草榴社区. (Nasdaq上場コード:SNPS) は、グローバル?エレクトロニクス?マーケットでテクノロジ?イノベーションを展開している。そのソフトウェア製品、IP、技術サービスは、エンジニアが直面する设计/検証/システム開発/製造の課題の解決を支援しており、シノプシスは電子设计自動化 (EDA) ならびに设计資産 (IP) のリーディング?カンパニーとなっている。1986年の創業以来、世界中のエンジニアがシノプシスのテクノロジを使用して、何十億もの半導体やシステム機器を设计開発している。詳細な情報は、より入手可能。
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