実チップ、生産で実証済みの贵颈苍贵贰罢ソリューション
シノプシスのデザイン?プラットフォームが現在量産されているFinFET设计の90%を実現
シノプシスは最先端のプロセス?ノードに対応した最先端ソリューションの提供に優れた実績があります。シノプシスはIDM、ファウンドリ、研究機関との協業により业界で最も包括的で効果的な贵颈苍贵贰罢ソリューションを提供しています。世界の大部分のFinFETデバイスは、シノプシスのTCADツールを使用して设计されています。シノプシスは、FinFET用のシリコン実証されたIPの広範囲なポートフォリオを提供しており、主な量産SoCの90%以上がシノプシスのデザイン?プラットフォームを使用して设计されてきました。シノプシスの新しいCustom Compiler?ビジュアル?アシストによるカスタム?レイアウト?ソリューションは、インプリメンテーション加速化のために開発されており、FinFETカスタム设计作業にかかる時間を数日から数時間に短縮します。
FinFETなどの高度なジオメトリ?ノードでは、一部のインプリメンテーション?ツールに影響を及ぼす重大な设计?製造上の課題が生じます。特に、複雑なマルチ?パターニング?リソグラフィには以下の要件があります。
ジオメトリ?ノードが高度になると、数GHz以上の動作周波数で動作する设计が可能になります。これを実現するには、高い予測性を備えたツールで设计フロー全体にわたるモデリング、ガイダンス、解析の向上に対応する必要があります。次世代の设计のサイズと性能を実現するには、ツールのさらなるキャパシティ、マルチコア処理による実行速度の高速化、生産性を最大にするための統合设计環境が必要となります。シノプシスの最先端プロセスのソリューションはファウンドリ認証済みであり、開発期間を短縮する以下の機能を提供します。
シノプシスは、主要なファウンドリ、コンソーシアム、エコシステム?パートナーと积极的に协力して、贵颈苍贵贰罢プロセス?テクノロジに関する重大な课题の解决に努めています。これにより、可能な限りの短期间でファウンドリ认証済みソリューションをご提供しています。