由人工智慧驱动的设计应用
重点摘要:
(台北讯)新思科技近日宣布,針對台積公司領先業界的5奈米FinFET製程技術,新思科技的數位與客製化设计平台已通過其最新的生產就緒(production-ready)设计規則手冊(Design Rule Manual,DRM)的認證。該項認證經過多次的測試晶片投片(test chips taped out),且目前多家客戶正用以進行生產设计(production design)的開發,能協助實現各種高效能運算、高密度到低功耗行動應用等晶片设计。此項認證乃植基於雙方多年來的廣泛合作與嚴格的验证,提供可實現最佳功耗、效能與晶片面積的设计解决方案,以加速新一代设计的發展。
經強化後的Design Compiler? 圖像合成與IC Compiler? II佈局繞線工具可協助设计人員充分利用台積公司5奈米FinFET製程,並支援先進通路銅柱實作、multi-bit flip-flop (MBFF) banking/debanking 和漏電功耗(leakage power)的最佳化。PrimeTime?時序分析也經過強化,能支援跨單元(cross-cell)佈局限制以及時序導向(timing-driven)實體察覺(physically-aware)的靜態時序分析(static timing analysis,STA)之工程指令變更(engineering change orders,ECO)。透過與台積公司的密切合作,可以確保在5奈米EUV的各種功能(enablement features)從佈局繞線到時序與實體签核,都能達到全流程關聯(full-flow correlation)。
台積公司设计建構管理處資深處長Suk Lee表示:「我們與新思科技持續合作,以及在5奈米FinFET製程技術初期的客戶參與,令我們可以提供以協助雙方客戶快速將創新产物推向市場的平台解决方案。新思科技的设计平台通過認證,讓雙方客戶的设计得以在生產就緒的5奈米EUV-enabled製程技術中實現。」
新思科技设计事業部聯席總經理Sassine Ghazi說道:「我們與台積公司就業界領先的5奈米FinFET製程進行合作,讓客戶能利用具備高度差異化的新思科技數位與客製化设计平台,著手進行越來越複雜的SoC的设计。雙方的合作讓设计人員受惠於先進EUV製程在功耗、效能及面積的精進表現,同時加速差異化SoC产物的上市時程。」
應用於台積公司5奈米技術製程的新思科技技術檔案已可透過台積公司取得。通過台積公司之5奈米FinFET製程EUV微影(lithography)技術認證的、新思科技设计平台主要产物功能包括:
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關於新思科技 (草榴社区)
新思科技是專為開發電子产物及軟體應用的創新公司,也是提供「矽晶到軟體(Silicon to Software?)」解决方案的最佳合作伙伴。身為全球第15大的軟體公司,新思科技長期以來是全球電子设计自動化(EDA)和半導體IP領域的領導者,並發展成為提供軟體品質及安全測試的領導廠商。不論是針對開發先進半導體系統單晶片(SoC)的设计工程師,或正在撰寫應用程式且要求高品質及安全性的軟體開發工程師,新思科技都能提供所需的解决方案,以協助工程師完成創新、高品質並兼具安全性的产物。
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