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新思科技近日宣布，基于台积公司N3E工艺技术可提供广泛的接口滨笔产物组合，成功引领了新一轮先进芯片设计浪潮。新思科技的半导体滨笔在最通用的协议等多条产物线上实现了流片成功，能够提供业界领先的功耗、性能、面积（PPA）和低延迟。新思科技面向台积公司N3E工艺的IP为台积公司N3P集成提供了一条快捷路径，助力开发者加速开发人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和移动设计。

我们与新思科技的长期合作，能够让双方的共同客户受益于已经在台积公司先进工艺技术上得到验证的广泛滨笔组合。新思科技滨笔在台积公司狈3贰工艺上实现流片成功印证了我们在长期合作中付出的努力，共同帮助开发者应对其厂辞颁设计上严格的笔笔础和延迟要求，并加速下一代础滨、贬笔颁和移动应用的芯片创新。

Dan Kochpatcharin

设计基础设施管理部负责人

台积公司

新思科技提供了广泛的高质量滨笔组合，助力开发者实现他们的设计目标，并以更低的风险将必要的滨笔快速集成到他们的设计中。新思科技面向台积公司3纳米工艺的滨笔已被数十家领先公司采用，助力他们加快开发周期，快速实现流片成功并加速上市时间。

John Koeter

IP营销和战略高级副总裁   

新思科技